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技术路径

  • 存内计算 SRAM CIM

    存内计算 SRAM CIM

    将计算能力融入 SRAM 存储单元,在存储内完成计算,减少数据往返搬运。后摩持续推进存算一体 IP 与芯片架构创新,支持端边大模型推理。

  • 3D存内计算 3D CIM

    3D存内计算 3D CIM

    为更好应对大模型时代对算力之外的访存需求,后摩自研新一代3D CIM架构,将多层3D存储介质以近存计算的方式与SRAM-CIM存内计算深度融合,实现1+1大于2的倍增效应,一并高效地解决算力问题与访存瓶颈。

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